16 Декабря
Admin (обсуждение | вклад) (Новая страница: «left 16 декабря 1947 — Уильям Шокли, Джон Бардин и Уолтер Браттейн в лаб…») |
Admin (обсуждение | вклад) |
||
Строка 52: | Строка 52: | ||
- Инвертор (лог. элемент) | - Инвертор (лог. элемент) | ||
+ | |||
+ | |||
+ | [[Category:Шаблоны:События_по_дням]] |
Текущая версия на 15:20, 16 декабря 2012
16 декабря 1947 — Уильям Шокли, Джон Бардин и Уолтер Браттейн в лабораториях Bell Labs впервые создали действующий биполярный транзистор.
Биполярный транзистор — это трёхэлектродный полупроводниковый прибор. Является одним из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости. По этому способу чередования различают npn и pnp транзисторы (n — электронный тип примесной проводимости, p — дырочный). В биполярном транзисторе, в отличие от полевого транзистора, используются заряды одновременно двух типов, носителями которых являются электроны и дырки (от слова «би» — «два»). Схематическое устройство транзистора показано на втором рисунке.
Электрод, подключённый к центральному слою, называют базой, электроды, подключённые к внешним слоям, называют коллектором и эмиттером. На простейшей схеме различия между коллектором и эмиттером не видны. В действительности же главное отличие коллектора — большая площадь p — n-перехода. Кроме того, для работы транзистора абсолютно необходима малая толщина базы. Биполярный точечный транзистор был изобретен в 1947 году, в течение последующих лет он зарекомендовал себя как основной элемент для изготовления интегральных микросхем, использующих транзисторно-транзисторную, резисторно-транзисторную и диодно-транзисторную логику.
Основные параметры
- Входное сопротивление
- Коэффициент передачи по току
- Обратный ток коллектор-эмиттер
- Выходная проводимость
- Предельная частота коэффициента передачи тока базы
- Время включения
- Максимально допустимый ток
- Обратный ток коллектора
- Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
Параметры транзистора делятся на собственные (первичные) и вторичные. Собственные параметры характеризуют свойства транзистора, независимо от схемы его включения.
Технология изготовления транзисторов
- Сплавная
- Эпитаксиально-планарная
- Диффузионносплавной
- Диффузионный
Применение транзисторов
- Генератор
- Усилители, каскады усиления
- Демодулятор (Детектор)
- Модулятор
- Микросхемы на транзисторной логике
- Инвертор (лог. элемент)