Флэш-память
Флэш-память — это разновидность полупроводниковой технологии электрически перепрограммируемой памяти (EEPROM). Это же слово используется в электронной схемотехнике для обозначения технологически законченных решений постоянных запоминающих устройств в виде микросхем на базе этой полупроводниковой технологии. В быту это словосочетание закрепилось за широким классом твердотельных устройств хранения информации.
Благодаря дешевизне, компактности, большому объему памяти, механической прочности, низкому энергопотреблению и высокой скорости работы, флэш-память широко применяется в цифровых портативных устройствах и носителях информации.
История
Ультрафиолетово и электрически стираемые ПЗУ (EEPROM) являются предшественниками технологии флэш-памяти. Эти приборы также имели матрицу транзисторов с плавающим затвором, в которых инжекция электронов в плавающий затвор («запись») осуществлялась путем создания большой напряженности электрического поля в тонком диэлектрике. Однако площадь разводки компонентов в матрице резко увеличивалась, если было необходимо создать поле обратной напряженности для снятия электронов с плавающего затвора («стирания»). Поэтому и возникло два класса устройств: в одном случае делали полнофункциональное устройство с гораздо меньшей емкостью, а в другом случае жертвовали цепями стирания, получая память высокой плотности с однократной записью.
Соответственно усилия инженеров были направлены на решение проблемы плотности компоновки цепей стирания. В 1984 году они увенчались успехом изобретением инженера компании Toshiba Фудзио Масуокой. Название «флеш» было придумано также в Toshiba коллегой Фудзио, Сёдзи Ариидзуми, так как процесс стирания содержимого памяти ему напомнил фотовспышку. Масуока представил свою разработку на IEEE 1984 International Electron Devices Meeting (IEDM), проходившей в Сан-Франциско, Калифорния. В 1988 году Intel выпустила первый коммерческий флеш-чип NOR-типа.
В 1989 году Toshiba был анонсирован NAND-тип флеш-памяти на International Solid-State Circuits Conference.
