Сканирующий гелиевый ионный микроскоп
Redaktor (обсуждение | вклад) (Новая страница: «left ==Сканирующий гелиевый ионный микроскоп== Сканирующий ионный ге…») |
Redaktor (обсуждение | вклад) м (Redaktor переименовал страницу Портал:Мануфактура/Сканирующий гелиевый ионный микроскоп в Сканирующий гелиевый ионный микроскоп) |
||
(не показана 1 промежуточная версия 1 участника) | |||
Строка 26: | Строка 26: | ||
*Распыление ионным пучком | *Распыление ионным пучком | ||
*Микроскопия поверхности материала | *Микроскопия поверхности материала | ||
+ | [[Category:Инструментальная промышленность]] | ||
+ | [[Category:Научное_оборудование]] |
Текущая версия на 16:54, 24 мая 2013
[править] Сканирующий гелиевый ионный микроскоп
Сканирующий ионный гелиевый микроскоп (СИГМ) — это сканирующий (растровый) микроскоп, по принципу работы аналогичный сканирующему электронному микроскопу, но использующий пучок ионов гелия вместо электронов.
Источник ионов
Основное его отличие от большинства приборов со сфокусированным ионным пучком, в которых используются жидкометаллические источники ионов, в гелиевом ионном микроскопе используется газовый автоионный источник. В качестве источника используется острие из вольфрама, к которому приложено высокое напряжение.В результате специального термополевого цикла на кончике острия формируется трехгранная пирамида, на вершине которой располагаются три атома вольфрама. Газообразный гелий ионизуется в сильном электрическом поле вблизи острия.Режим автоионного микроскопа делает возможным наблюдение за источником с атомарным разрешением, что применяется для юстировки и формирования источника, таким образом, что для создания ионного пучка используется одиночный атом вольфрама.Для стабилизации источника и повышения эффективности автоионизации острие охлаждается жидким азотом.
Оптика
Для фокусировки и отклонения ионного пучка применяется электростатическая оптическая схема, аналогично системам со сфокусированным ионным пучком.
Взаимодействие ионов с веществом
В результате взаимодействия ускоренных ионов с веществом кинетическая энергия налетающих ионов передается атомам и электронам материала.При этом некоторые из электронов вещества вылетают в вакуум (вторичные электроны). Часть ионов гелия отражается от атомов вещества назад.Помимо этого, некоторые из атомов вещества могут быть выбиты налетающими ионами, что приводит к распылению материала.
Импульс налетающих ионов недостаточен для эффективного возбуждения глубоких уровней атомов, поэтому возбуждения рентгеновского излучения в гелиевом ионном микроскопе не наблюдается.
Приложения
Основными приложениями для СИГМ являются:
- Ионная литография с использованием резиста
- Распыление ионным пучком
- Микроскопия поверхности материала