Однопереходный транзистор
м (Adm machinebook переименовал страницу Портал:Мануфактура/Однопереходный транзистор в Однопереходный транзистор без оставления перенапра…) |
|||
Строка 1: | Строка 1: | ||
'''Одноперехо́дный [[Транзистор|транзи́стор]] (ОПТ)''' — [[полупроводник]]овый прибор с тремя электродами и одним [[p — n-переход|''p-n'' переходом]]. Однопереходный транзистор принадлежит к семейству [[тиристор]]ов. | '''Одноперехо́дный [[Транзистор|транзи́стор]] (ОПТ)''' — [[полупроводник]]овый прибор с тремя электродами и одним [[p — n-переход|''p-n'' переходом]]. Однопереходный транзистор принадлежит к семейству [[тиристор]]ов. | ||
− | == Устройство и обозначение == | + | ==Устройство и обозначение== |
[[Файл:Transistor-op.jpg|thumb]] | [[Файл:Transistor-op.jpg|thumb]] | ||
Основой транзистора является кристалл полупроводника (например ''n''-типа), который называется базой . На концах кристалла имеются омические контакты Б1 и Б2, между которыми располагается область, имеющая выпрямляющий контакт Э с полупроводником ''p''-типа, выполняющим роль эмиттера. | Основой транзистора является кристалл полупроводника (например ''n''-типа), который называется базой . На концах кристалла имеются омические контакты Б1 и Б2, между которыми располагается область, имеющая выпрямляющий контакт Э с полупроводником ''p''-типа, выполняющим роль эмиттера. | ||
Строка 8: | Строка 8: | ||
Зарубежные аналоги 2N6027, 2N6028. Выпускаются и сейчас. См. англ. вариант страницы | Зарубежные аналоги 2N6027, 2N6028. Выпускаются и сейчас. См. англ. вариант страницы | ||
− | == История == | + | ==История== |
Конструкция прибора относится к сплавным структурам на брусках германия, впервые описанным Шокли, Пирсоном и Хайнсом. В то время такая структура называлась нитевидным транзистором. В процессе развития прибор имел объёмную структуру, затем диффузионно-планарную и, наконец, эпитаксиально-планарную. Изменялось и его название от «диода с двойной базой» до последнего «однопереходного транзистора». | Конструкция прибора относится к сплавным структурам на брусках германия, впервые описанным Шокли, Пирсоном и Хайнсом. В то время такая структура называлась нитевидным транзистором. В процессе развития прибор имел объёмную структуру, затем диффузионно-планарную и, наконец, эпитаксиально-планарную. Изменялось и его название от «диода с двойной базой» до последнего «однопереходного транзистора». | ||
[[Category:Электроника]] | [[Category:Электроника]] |
Текущая версия на 15:32, 9 августа 2012
Одноперехо́дный транзи́стор (ОПТ) — полупроводниковый прибор с тремя электродами и одним p-n переходом. Однопереходный транзистор принадлежит к семейству тиристоров.
[править] Устройство и обозначение
Основой транзистора является кристалл полупроводника (например n-типа), который называется базой . На концах кристалла имеются омические контакты Б1 и Б2, между которыми располагается область, имеющая выпрямляющий контакт Э с полупроводником p-типа, выполняющим роль эмиттера.
Выпускался в СССР и имел обозначение КТ 117А (Б,В,Г). Зарубежные аналоги 2N6027, 2N6028. Выпускаются и сейчас. См. англ. вариант страницы
[править] История
Конструкция прибора относится к сплавным структурам на брусках германия, впервые описанным Шокли, Пирсоном и Хайнсом. В то время такая структура называлась нитевидным транзистором. В процессе развития прибор имел объёмную структуру, затем диффузионно-планарную и, наконец, эпитаксиально-планарную. Изменялось и его название от «диода с двойной базой» до последнего «однопереходного транзистора».