МОП-структура
(Новая страница: «'''МОП-структура''' (металл — оксид — полупроводник) — наиболее широко используемый тип …») |
м (Adm machinebook переименовал страницу Портал:Мануфактура/МОП-структура в МОП-структура без оставления перенаправления) |
||
| (не показана 1 промежуточная версия 1 участника) | |||
| Строка 1: | Строка 1: | ||
'''МОП-структура''' (металл — оксид — полупроводник) — наиболее широко используемый тип [[полевой транзистор|полевых транзисторов]]. Структура состоит из металла и полупроводника, разделённых слоем оксида кремния SiO<sub>2</sub>. В общем случае структуру называют [[Полевой транзистор#Транзисторы с изолированным затвором (МДП-транзисторы)|МДП]] (металл — диэлектрик — полупроводник). | '''МОП-структура''' (металл — оксид — полупроводник) — наиболее широко используемый тип [[полевой транзистор|полевых транзисторов]]. Структура состоит из металла и полупроводника, разделённых слоем оксида кремния SiO<sub>2</sub>. В общем случае структуру называют [[Полевой транзистор#Транзисторы с изолированным затвором (МДП-транзисторы)|МДП]] (металл — диэлектрик — полупроводник). | ||
| − | Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми, или МОП-транзисторами ( | + | Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми, или МОП-транзисторами (metall-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET). |
Транзисторы на основе МОП-структур, в отличие от биполярных, управляются напряжением, а не током и называются униполярными транзисторами, так как для их работы необходимо наличие носителей заряда только одного типа. | Транзисторы на основе МОП-структур, в отличие от биполярных, управляются напряжением, а не током и называются униполярными транзисторами, так как для их работы необходимо наличие носителей заряда только одного типа. | ||
Текущая версия на 16:57, 27 июля 2012
МОП-структура (металл — оксид — полупроводник) — наиболее широко используемый тип полевых транзисторов. Структура состоит из металла и полупроводника, разделённых слоем оксида кремния SiO2. В общем случае структуру называют МДП (металл — диэлектрик — полупроводник).
Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми, или МОП-транзисторами (metall-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
Транзисторы на основе МОП-структур, в отличие от биполярных, управляются напряжением, а не током и называются униполярными транзисторами, так как для их работы необходимо наличие носителей заряда только одного типа.
Содержание |
[править] Базовая классификация
[править] Тип канала
Наиболее распространены транзисторы с индуцированным каналом: у них канал закрыт при нулевом напряжении исток-затвор. Именно их имеют в виду, когда не упоминают тип канала.
Гораздо реже встречаются транзисторы со встроенным каналом: у них канал открыт при нулевом напряжении исток-затвор.
[править] Тип проводимости
Существует два типа проводимости канала: n-канальные и p-канальные. Тип проводимости определяется типом носителя заряда в канале: электрон либо "дырка".
Если транзистор n-канальный:
- он открывается положительным напряжением на затворе по отношению к истоку.
- паразитный диод в структуре канала катодом подсоединен к стоку, анодом — к истоку.
- канал обычно подсоединяют так, что на стоке более положительное напряжение, чем на истоке.
Если транзистор p-канальный:
- он открывается отрицательным напряжением на затворе по отношению к истоку.
- паразитный диод в структуре канала анодом подсоединен к стоку, катодом — к истоку.
- канал обычно подсоединяют так, что на стоке более отрицательное напряжение, чем на истоке.
[править] Особые случаи
Существуют транзисторы с несколькими затворами.
Некоторые виды мощных переключательных транзисторов снабжаются специальным отводом от части канала с целью контроля тока через транзистор. Такой прием позволяет избежать дополнительных потерь на внешних токоизмерительных шунтах.
