IGBT

Материал из Machinepedia
Перейти к: навигация, поиск
Skm145gal123d-semikron-igbt-skm-145-gal-123d-123-d-new.jpg

IGBT

IGBT, БТИЗ (от англ. Insulated-gate bipolar transistor — биполярный транзистор с изолированным затвором) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, который используется в качестве , мощного электронного ключа в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.

По своей конструкции IGBT является каскадным включением двух электронных ключей: входной ключ на полевом транзисторе управляет мощным оконечным ключом на биполярном транзисторе. Управляющий электрод называется затвором как у ПТ, два других электрода — эмиттером и коллектором как у биполярного. Такое составное включение ПТ и БТ позволяет сочетать в одном устройстве достоинства обоих типов полупроводниковых приборов. Изготавливаются как отдельные IGBT, так и силовые сборки (модули) на их основе, например, для управления цепями трёхфазного тока.

IGBT

Данный тип приборов изобретен в начале 1980-х гг, запатентован International Rectifier в 1983.

Поначалу IGBT не получил признания из-за своих недостатков — медленное переключение и ненадёжность. Второе (1990-е гг) и третье (современное) поколения IGBT в целом избавились от этих недостатков.

Диапазон использования — от десятков А до 1200 А по току, от сотен вольт до 10 кВ по напряжению. В диапазоне токов до десятков А и напряжений до 500 В рационально использовать стандартные МДП- (MOSFET-) транзисторов, а не IGBT, так как при низких напряжениях полевые транзисторы имеют меньшим сопротивлением.

Применение

Основное применение IGBT — это инверторы, импульсные регуляторы тока, частотно-регулируемые приводы.

Широкое использование IGBT нашли в источниках сварочного тока, в управлении мощным электроприводом, в том числе на городском электрическом транспорте. Использование IGBT модулей в системах управления тяговыми двигателями позволяет (по сравнению с тиристорными устройствами) обеспечить высокий КПД, высокую плавность хода машины и возможность применения рекуперативного торможения практически на любой скорости. При некоторых обстоятельствах IGBT и MOSFET могут заменять друг, цоколевка приборов и параметры управляющих сигналов обоих устройств, как правило, равнозначны. IGBT и MOSFET требуют 12—15 В для полного включения и не нуждаются в отрицательном напряжении для выключения. Но «управляемый напряжением» не значит, что схеме управления не нужен источник тока. Затвор IGBT или MOSFET для управляющей схемы выполнен в виде конденсатора с величиной емкостью, которая достигает тысяч пикофарад (для мощных устройств). Драйвер затвора должен «уметь» быстро заряжать и разряжать эту емкость, чтобы гарантировать быстрое переключение транзистора.

Личные инструменты
Пространства имён

Варианты
Действия
Присоединиться сейчас к бесплатной торговой площадке №1 для промышленников в России machinebook
Навигация
Навигация
Рекламодателям
Инструменты
Яндекс.Метрика