FRAM

FRAM

Сегнетоэлектрическая оперативная память (FRAM, RAM, Ferroelectric FeRAM) — это оперативная память, по своему устройству схожая с DRAM, однако использующая вместо диэлектрического слоя слой сегнетоэлектрика, что обеспечивает энергонезависимость. FeRAM является одной из растущего числа альтернативных технологий энергонезависимой памяти, предлагающая ту же самую функциональность, что и флеш-память.

История

В конце 1980-х годов была начата разработка FeRAM. В 1991 году проводилась работа в Лаборатории реактивного движения NASA направленная на улучшение методов чтения, в том числе новый метод неразрушающего чтения с помощью импульсов ультрафиолетового излучения. Значительная часть нынешней технологии FeRAM была разработана fabless-компанией Ramtron International, которая специализируется в области полупроводниковой промышленности. Одним из главных лицензиатов стала Fujitsu, обладающая по некоторым оценкам крупнейшей базой по производству полупроводников, в том числе производственной линии, подходящей для выпуска FeRAM. С 1999 года они использовали эту линию для выпуска отдельных чипов FeRAM наряду со специализированными чипами (к примеру, чипы для смарт-карт) со встроенной памятью FeRAM. Это прекрасно вписывалось в планы Fujitsu по производству устройств, разработанных компанией Ramtron.

Начиная с 2001 года, компания Texas Instruments начинает сотрудничество с Ramtron в области разработки тестовых чипов FeRAM по обновленному процессу в 130 нм. Осенью 2005 года Ramtron объявила, что им удалось значительно улучшить прототипы 8-мегабитных FeRAM-чипов, произведенных с использованием мощностей Texas Instruments. В том же году Fujitsu и Seiko-Epson начали сотрудничество в области разработки 180-нм FeRAM-техпроцесса. Об исследовательских проектах в области FeRAM заявили Matsushita, Samsung, Oki, Infineon, Toshiba, Hynix, Symetrix, Interuniversity Microelectronics Centre (ИМЕК, Бельгия), Торонтский университет и Кембриджский университет.