DDR4 SDRAM

DDR4 SDRAM (англ. double-data-rate four synchronous dynamic random access memory) — новый тип оперативной памяти, являющийся эволюционным развитием предыдущих поколений DDR (DDR, DDR2, DDR3). Отличается повышенными частотными характеристиками и пониженным напряжением. Будет поддерживать частоты от 2133 до 4266 МГц. В массовое производство выйдет предположительно во второй половине 2012 года. В январе 2011 года компания Samsung официально представила новые модули, работающие в режиме DDR4-2133 при напряжении 1,2 В. Эксперты из аналитического агентства IHS-iSuppli уверены, что доля DDR4 увеличится от 5% в 2013 году до 50% в 2015 году.

Разработка

JEDEC представила информацию о DDR4 на конференции MemCon в Токио. Судя по слайдам, новинка должна иметь и повышенную частоту (от 2133 до 4266 МГц), и пониженное напряжение (от 1,1 до 1,2 В) по сравнению с предыдущими стандартами, предполагаемый техпроцесс — 32 и 36 нм. Массовое производство намечалось на 2015 год, а первые образцы для создания контроллеров памяти и совместимых платформ — на 2011 год. В январе 2011 компания Samsung впервые представила модуль DDR4. Техпроцесс составил 30 нм, объём памяти 2 Гб, а напряжение 1,2 В. Позднее Hynix представила свой первый модуль DDR4, который превзошёл модуль Samsung по частоте (2400 МГц вместо 2133). Hynix заявила о 80%-м увеличении производительности памяти по сравнению с DDR3-1333. Массовое производство намечено на вторую половину 2012 года.

Максимальная пропускная способность

Для расчета максимальной пропускной способности памяти DDR4 необходимо её частоту умножить на 64 бита, то есть размер данных, который может быть передан за 1 такт работы памяти.

• Для памяти с частотой 2133 МГц (наименьшая частота для памяти DDR4) максимальная пропускная способность составит 2133 * 8 = 17 064 Мегабайт/c
• Для памяти с частотой 4266 МГц (наибольшая частота, определённая в стандарте.[7]) максимальная пропускная способность составит 4266 * 8 = 34 128 Мегабайт/c